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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SPT50N65F1A |
| Référence EBEE | E8480187 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9199 | $ 1.9199 |
| 10+ | $1.6186 | $ 16.1860 |
| 30+ | $1.4311 | $ 42.9330 |
| 90+ | $1.2374 | $ 111.3660 |
| 510+ | $1.1498 | $ 586.3980 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Fiche Technique | SPTECH SPT50N65F1A | |
| RoHS | ||
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Pd - Power Dissipation | 260W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9199 | $ 1.9199 |
| 10+ | $1.6186 | $ 16.1860 |
| 30+ | $1.4311 | $ 42.9330 |
| 90+ | $1.2374 | $ 111.3660 |
| 510+ | $1.1498 | $ 586.3980 |
