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SPTECH SPT50N65F1A1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SPT50N65F1A1 |
| Référence EBEE | E8480188 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
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| 10+ | $1.5733 | $ 15.7330 |
| 30+ | $1.3937 | $ 41.8110 |
| 90+ | $1.2113 | $ 109.0170 |
| 510+ | $1.1282 | $ 575.3820 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Fiche Technique | SPTECH SPT50N65F1A1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 260W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 162nC@15V | |
| Td(off) | 170ns | |
| Td(on) | 60ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 90ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 600uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.2mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.8nF@30V,0V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $1.5733 | $ 15.7330 |
| 30+ | $1.3937 | $ 41.8110 |
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