| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SED3080M |
| Référence EBEE | E8238667 |
| Boîtier | DFN-8(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 80A 83W 6.5mΩ@10V,25A 3V@250uA 1 N-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1695 | $ 0.8475 |
| 50+ | $0.1333 | $ 6.6650 |
| 150+ | $0.1178 | $ 17.6700 |
| 500+ | $0.0984 | $ 49.2000 |
| 2500+ | $0.0848 | $ 212.0000 |
| 5000+ | $0.0796 | $ 398.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SINO-IC SED3080M | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 6.5mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 230pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.33nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 460pF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1695 | $ 0.8475 |
| 50+ | $0.1333 | $ 6.6650 |
| 150+ | $0.1178 | $ 17.6700 |
| 500+ | $0.0984 | $ 49.2000 |
| 2500+ | $0.0848 | $ 212.0000 |
| 5000+ | $0.0796 | $ 398.0000 |
