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SINO-IC SE6003C
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SE6003C |
| Référence EBEE | E8417334 |
| Boîtier | TO-251 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 3A 1.7W 100mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0749 | $ 0.3745 |
| 50+ | $0.0651 | $ 3.2550 |
| 160+ | $0.0602 | $ 9.6320 |
| 480+ | $0.0565 | $ 27.1200 |
| 2480+ | $0.0536 | $ 132.9280 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SINO-IC SE6003C | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 125mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 19.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 247pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 5+ | $0.0749 | $ 0.3745 |
| 50+ | $0.0651 | $ 3.2550 |
| 160+ | $0.0602 | $ 9.6320 |
| 480+ | $0.0565 | $ 27.1200 |
| 2480+ | $0.0536 | $ 132.9280 |
| 4960+ | $0.0521 | $ 258.4160 |
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