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SINO-IC SE40P20B
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SE40P20B |
| Référence EBEE | E8396091 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V 20A 26mΩ@10V,5A 80W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1800 | $ 0.9000 |
| 50+ | $0.1411 | $ 7.0550 |
| 150+ | $0.1244 | $ 18.6600 |
| 500+ | $0.1037 | $ 51.8500 |
| 2500+ | $0.0940 | $ 235.0000 |
| 5000+ | $0.0884 | $ 442.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SINO-IC SE40P20B | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 32mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 310pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.96nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1800 | $ 0.9000 |
| 50+ | $0.1411 | $ 7.0550 |
| 150+ | $0.1244 | $ 18.6600 |
| 500+ | $0.1037 | $ 51.8500 |
| 2500+ | $0.0940 | $ 235.0000 |
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