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SINO-IC SE30P50B
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SE30P50B |
| Référence EBEE | E8238706 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 50A 90W 7mΩ@10V,20A 2.2V@250uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2489 | $ 1.2445 |
| 50+ | $0.2188 | $ 10.9400 |
| 150+ | $0.2059 | $ 30.8850 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 3000+ | $0.1713 | $ 513.9000 |
| 6000+ | $0.1670 | $ 1002.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SINO-IC SE30P50B | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 5.8mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 743pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.032nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 898pF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.2188 | $ 10.9400 |
| 150+ | $0.2059 | $ 30.8850 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
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