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SINO-IC SE1003
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SE1003 |
| Référence EBEE | E8729820 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 3A 230mΩ@10V,1A 1.5W 1.8V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0771 | $ 0.3855 |
| 50+ | $0.0612 | $ 3.0600 |
| 150+ | $0.0532 | $ 7.9800 |
| 500+ | $0.0472 | $ 23.6000 |
| 3000+ | $0.0414 | $ 124.2000 |
| 6000+ | $0.0391 | $ 234.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SINO-IC SE1003 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 230mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 650pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0612 | $ 3.0600 |
| 150+ | $0.0532 | $ 7.9800 |
| 500+ | $0.0472 | $ 23.6000 |
| 3000+ | $0.0414 | $ 124.2000 |
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