| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SE0108A |
| Référence EBEE | E85272817 |
| Boîtier | SOT-89 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOT-89-3L MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0745 | $ 0.3725 |
| 50+ | $0.0593 | $ 2.9650 |
| 150+ | $0.0517 | $ 7.7550 |
| 500+ | $0.0460 | $ 23.0000 |
| 2500+ | $0.0396 | $ 99.0000 |
| 4000+ | $0.0373 | $ 149.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SINO-IC SE0108A | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 135mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 690pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15.5nC@30V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0745 | $ 0.3725 |
| 50+ | $0.0593 | $ 2.9650 |
| 150+ | $0.0517 | $ 7.7550 |
| 500+ | $0.0460 | $ 23.0000 |
| 2500+ | $0.0396 | $ 99.0000 |
| 4000+ | $0.0373 | $ 149.2000 |
