| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RU20P7C |
| Référence EBEE | E8181984 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 5A 28mΩ@4.5V,5A 1.3W 400mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0703 | $ 0.7030 |
| 100+ | $0.0574 | $ 5.7400 |
| 300+ | $0.0509 | $ 15.2700 |
| 3000+ | $0.0400 | $ 120.0000 |
| 6000+ | $0.0361 | $ 216.6000 |
| 9000+ | $0.0342 | $ 307.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shenzhen ruichips Semicon RU20P7C | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.3W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 400mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 640pF@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0703 | $ 0.7030 |
| 100+ | $0.0574 | $ 5.7400 |
| 300+ | $0.0509 | $ 15.2700 |
| 3000+ | $0.0400 | $ 120.0000 |
| 6000+ | $0.0361 | $ 216.6000 |
| 9000+ | $0.0342 | $ 307.8000 |
