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Shenzhen JingYang TDNM3K50DWX
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TDNM3K50DWX |
| Référence EBEE | E85364048 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 50V 500mV 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0780 | $ 0.3900 |
| 50+ | $0.0617 | $ 3.0850 |
| 150+ | $0.0535 | $ 8.0250 |
| 500+ | $0.0474 | $ 23.7000 |
| 3000+ | $0.0425 | $ 127.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shenzhen JingYang TDNM3K50DWX | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 4Ω@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 33pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.7nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0780 | $ 0.3900 |
| 50+ | $0.0617 | $ 3.0850 |
| 150+ | $0.0535 | $ 8.0250 |
| 500+ | $0.0474 | $ 23.7000 |
| 3000+ | $0.0425 | $ 127.5000 |
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