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Shenzhen Fuman Elec 6888K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 6888K |
| Référence EBEE | E8841306 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 68V 80A 7.9mΩ@10V,30A 108W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1966 | $ 0.9830 |
| 50+ | $0.1743 | $ 8.7150 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1528 | $ 76.4000 |
| 2500+ | $0.1298 | $ 324.5000 |
| 5000+ | $0.1266 | $ 633.0000 |
| 10000+ | $0.1250 | $ 1250.0000 |
| 20000+ | $0.1239 | $ 2478.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shenzhen Fuman Elec 6888K | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 7.9mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 312pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 108W | |
| Drain to Source Voltage | 68V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.988nF | |
| Gate Charge(Qg) | 78nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.1743 | $ 8.7150 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1528 | $ 76.4000 |
| 2500+ | $0.1298 | $ 324.5000 |
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