| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 055N85 |
| Référence EBEE | E82932024 |
| Boîtier | TO-263 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 85V 110A 202W 6.8mΩ@10V,40A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3941 | $ 0.3941 |
| 10+ | $0.3468 | $ 3.4680 |
| 30+ | $0.3263 | $ 9.7890 |
| 100+ | $0.2995 | $ 29.9500 |
| 500+ | $0.2743 | $ 137.1500 |
| 800+ | $0.2680 | $ 214.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shenzhen Fuman Elec 055N85 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 6.8mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 256pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 202W | |
| Drain to Source Voltage | 85V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.56nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 482pF | |
| Gate Charge(Qg) | 152nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3941 | $ 0.3941 |
| 10+ | $0.3468 | $ 3.4680 |
| 30+ | $0.3263 | $ 9.7890 |
| 100+ | $0.2995 | $ 29.9500 |
| 500+ | $0.2743 | $ 137.1500 |
| 800+ | $0.2680 | $ 214.4000 |
