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Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PNMT8N1 |
| Référence EBEE | E8110718 |
| Boîtier | DFN-10-EP(2x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 300mA 150mW 500mΩ@4V,300mA 1.1V@1mA 1 N-channel DFN-10-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0710 | $ 3.5500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 300mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@4V,300mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 150mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.1V@1mA |
Guide d’achat
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