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Shanghai Prisemi Elec PNMT6N1B
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PNMT6N1B |
| Référence EBEE | E8110717 |
| Boîtier | DFN-6L(2.1x2.1) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V 3A 4Ω@4.5V,200mA 1.2W 1.5V@250uA 1 N-channel DFN-6L(2.1x2.1) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 5+ | $0.0992 | $ 0.4960 |
| 50+ | $0.0810 | $ 4.0500 |
| 150+ | $0.0719 | $ 10.7850 |
| 500+ | $0.0650 | $ 32.5000 |
| 3000+ | $0.0595 | $ 178.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shanghai Prisemi Elec PNMT6N1B | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 40V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4Ω@4.5V,200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA |
Guide d’achat
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