| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PDNM6ET20V05 |
| Référence EBEE | E8918811 |
| Boîtier | SOT-563 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 500mA 650mV@250uA 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1217 | $ 0.6085 |
| 50+ | $0.0994 | $ 4.9700 |
| 150+ | $0.0881 | $ 13.2150 |
| 500+ | $0.0797 | $ 39.8500 |
| 3000+ | $0.0730 | $ 219.0000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shanghai Prisemi Elec PDNM6ET20V05 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 500mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | - | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 650mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | - | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1217 | $ 0.6085 |
| 50+ | $0.0994 | $ 4.9700 |
| 150+ | $0.0881 | $ 13.2150 |
| 500+ | $0.0797 | $ 39.8500 |
| 3000+ | $0.0730 | $ 219.0000 |
| 6000+ | $0.0697 | $ 418.2000 |
