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Shandong Jingdao Microelectronics D7N65
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | D7N65 |
| Référence EBEE | E82935479 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 7A 32W 1.3Ω@10V,3.5A 4V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.2086 | $ 10.4300 |
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| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shandong Jingdao Microelectronics D7N65 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.3Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.2086 | $ 10.4300 |
| 150+ | $0.1836 | $ 27.5400 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1386 | $ 346.5000 |
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