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Shandong Jingdao Microelectronics D5N65
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | D5N65 |
| Référence EBEE | E82935480 |
| Boîtier | TO-252-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 5A 54W 2.1Ω@10V,2.5A 4V@250uA TO-252-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2321 | $ 1.1605 |
| 50+ | $0.1847 | $ 9.2350 |
| 150+ | $0.1643 | $ 24.6450 |
| 500+ | $0.1390 | $ 69.5000 |
| 2500+ | $0.1197 | $ 299.2500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shandong Jingdao Microelectronics D5N65 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.1Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 870pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 104pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2321 | $ 1.1605 |
| 50+ | $0.1847 | $ 9.2350 |
| 150+ | $0.1643 | $ 24.6450 |
| 500+ | $0.1390 | $ 69.5000 |
| 2500+ | $0.1197 | $ 299.2500 |
| 5000+ | $0.1130 | $ 565.0000 |
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