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Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | D3R6N30 |
| Référence EBEE | E85156807 |
| Boîtier | TO-252W |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 30V 80A 82W 3.6mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1277 | $ 0.6385 |
| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
| 500+ | $0.0789 | $ 39.4500 |
| 2500+ | $0.0678 | $ 169.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Shandong Jingdao Microelectronics D3R6N30 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 3.6mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 206pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.414nF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
Guide d’achat
Développer
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| 5+ | $0.1277 | $ 0.6385 |
| 50+ | $0.1017 | $ 5.0850 |
| 150+ | $0.0886 | $ 13.2900 |
| 500+ | $0.0789 | $ 39.4500 |
| 2500+ | $0.0678 | $ 169.5000 |
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