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SemiQ GP2T080A120U
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GP2T080A120U |
| Référence EBEE | E86626988 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 35A 188W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $19.7150 | $ 19.7150 |
| 210+ | $7.8672 | $ 1652.1120 |
| 510+ | $7.6040 | $ 3878.0400 |
| 990+ | $7.4751 | $ 7400.3490 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SemiQ GP2T080A120U | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.2kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 35A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 188W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.8V@10mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF@1000V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.377nF@1000V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 58nC@20V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $19.7150 | $ 19.7150 |
| 210+ | $7.8672 | $ 1652.1120 |
| 510+ | $7.6040 | $ 3878.0400 |
| 990+ | $7.4751 | $ 7400.3490 |
