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SemiQ GP2T040A120U
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GP2T040A120U |
| Référence EBEE | E85749310 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 63A 52mΩ@20V,40A 322W 1.8V@10mA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $40.9079 | $ 40.9079 |
| 210+ | $16.3223 | $ 3427.6830 |
| 510+ | $15.7783 | $ 8046.9330 |
| 990+ | $15.5082 | $ 15353.1180 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SemiQ GP2T040A120U | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.2kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 63A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 52mΩ@20V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 322W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.8V@10mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7pF@1000V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.192nF@1000V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 118nC@20V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $40.9079 | $ 40.9079 |
| 210+ | $16.3223 | $ 3427.6830 |
| 510+ | $15.7783 | $ 8046.9330 |
| 990+ | $15.5082 | $ 15353.1180 |
