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SemiQ GCMX080B120S1-E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GCMX080B120S1-E1 |
| Référence EBEE | E87281235 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 30A 142W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
| 200+ | $17.8994 | $ 3579.8800 |
| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SemiQ GCMX080B120S1-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.2kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 30A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 142W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.8V@10mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8pF@1000V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.336nF@1000V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 58nC@20V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
| 200+ | $17.8994 | $ 3579.8800 |
| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
