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SemiQ GCMS080B120S1-E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GCMS080B120S1-E1 |
| Référence EBEE | E86564311 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 30A 142W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $49.9392 | $ 49.9392 |
| 200+ | $19.9277 | $ 3985.5400 |
| 500+ | $19.2601 | $ 9630.0500 |
| 1000+ | $18.9325 | $ 18932.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | SemiQ GCMS080B120S1-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.2kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 30A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 142W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.8V@10mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.374nF@1000V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 58nC@20V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $49.9392 | $ 49.9392 |
| 200+ | $19.9277 | $ 3985.5400 |
| 500+ | $19.2601 | $ 9630.0500 |
| 1000+ | $18.9325 | $ 18932.5000 |
