| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RV2C010UNT2L |
| Référence EBEE | E8570828 |
| Boîtier | X2-DFN1006-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 1A 470mΩ@4.5V,500mA 400mW 1V@1mA 1 N-Channel X2-DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1603 | $ 0.8015 |
| 50+ | $0.1324 | $ 6.6200 |
| 150+ | $0.1183 | $ 17.7450 |
| 500+ | $0.1079 | $ 53.9500 |
| 2500+ | $0.0898 | $ 224.5000 |
| 5000+ | $0.0857 | $ 428.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RV2C010UNT2L | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 1A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 470mΩ@4.5V,500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 400mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 40pF@0V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1603 | $ 0.8015 |
| 50+ | $0.1324 | $ 6.6200 |
| 150+ | $0.1183 | $ 17.7450 |
| 500+ | $0.1079 | $ 53.9500 |
| 2500+ | $0.0898 | $ 224.5000 |
| 5000+ | $0.0857 | $ 428.5000 |
