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ROHM Semicon RUM002N02T2L
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RUM002N02T2L |
| Référence EBEE | E8250130 |
| Boîtier | SOT-723 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 200mA 1.2Ω@1.2V,20mA 150mW 300mV 1 N-Channel SOT-723 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0422 | $ 0.4220 |
| 100+ | $0.0346 | $ 3.4600 |
| 300+ | $0.0308 | $ 9.2400 |
| 1000+ | $0.0281 | $ 28.1000 |
| 5000+ | $0.0221 | $ 110.5000 |
| 8000+ | $0.0209 | $ 167.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RUM002N02T2L | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 200mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.2Ω@1.2V,20mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 150mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 300mV | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 25pF@0V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0422 | $ 0.4220 |
| 100+ | $0.0346 | $ 3.4600 |
| 300+ | $0.0308 | $ 9.2400 |
| 1000+ | $0.0281 | $ 28.1000 |
| 5000+ | $0.0221 | $ 110.5000 |
| 8000+ | $0.0209 | $ 167.2000 |
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