| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RU1L002SNMGTL |
| Référence EBEE | E82981762 |
| Boîtier | SOT-323-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 250mA 200mW 2.4Ω@10V,250mA 1V@1mA 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0431 | $ 0.4310 |
| 100+ | $0.0352 | $ 3.5200 |
| 300+ | $0.0312 | $ 9.3600 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0227 | $ 136.2000 |
| 9000+ | $0.0215 | $ 193.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RU1L002SNMGTL | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 250mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,250mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 15pF@0V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0431 | $ 0.4310 |
| 100+ | $0.0352 | $ 3.5200 |
| 300+ | $0.0312 | $ 9.3600 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0227 | $ 136.2000 |
| 9000+ | $0.0215 | $ 193.5000 |
