| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RU1C002UNTCL |
| Référence EBEE | E82981603 |
| Boîtier | SC-85 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 200mA 1.2Ω@2.5V,200mA 150mW 1V@1mA 1 N-Channel SC-85 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0512 | $ 0.5120 |
| 100+ | $0.0458 | $ 4.5800 |
| 300+ | $0.0430 | $ 12.9000 |
| 3000+ | $0.0374 | $ 112.2000 |
| 6000+ | $0.0357 | $ 214.2000 |
| 9000+ | $0.0348 | $ 313.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RU1C002UNTCL | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 200mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.2Ω@2.5V,200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 150mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 25pF@0V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0512 | $ 0.5120 |
| 100+ | $0.0458 | $ 4.5800 |
| 300+ | $0.0430 | $ 12.9000 |
| 3000+ | $0.0374 | $ 112.2000 |
| 6000+ | $0.0357 | $ 214.2000 |
| 9000+ | $0.0348 | $ 313.2000 |
