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ROHM Semicon RQ3E130MNTB1


Fabricant
Référence Fabricant
RQ3E130MNTB1
Référence EBEE
E8308745
Boîtier
HSMT-8(3x3.2)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS
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500+$0.2276$ 113.8000
1000+$0.2222$ 222.2000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueROHM Semicon RQ3E130MNTB1
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-Channel
Tension de source de égout (Vdss)30V
Courant de drainage continu (Id)13A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)8.1mΩ@10V,13A
Dissipation de puissance (Pd)2W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2.5V@1mA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)90pF
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)840pF@0V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)6.6nC@10V

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