| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RQ3E130MNTB1 |
| Référence EBEE | E8308745 |
| Boîtier | HSMT-8(3x3.2) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RQ3E130MNTB1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 13A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.1mΩ@10V,13A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 90pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 840pF@0V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 6.6nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
