| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RGTVX6TS65DGC11 |
| Référence EBEE | E817694859 |
| Boîtier | TO-247N |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 404W 144A 650V FS(Field Stop) TO-247N IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.9383 | $ 7.9383 |
| 10+ | $7.7354 | $ 77.3540 |
| 30+ | $7.5976 | $ 227.9280 |
| 100+ | $7.4617 | $ 746.1700 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RGTVX6TS65DGC11 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 144A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 404W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 201ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 45ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 1.9V@15V,80A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 171nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 109ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 1.8mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 2.65mJ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.9383 | $ 7.9383 |
| 10+ | $7.7354 | $ 77.3540 |
| 30+ | $7.5976 | $ 227.9280 |
| 100+ | $7.4617 | $ 746.1700 |
