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ROHM Semicon RGT80TS65DGC11
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RGT80TS65DGC11 |
| Référence EBEE | E86647230 |
| Boîtier | TO-247N |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 234W 70A 650V FS(Field Stop) TO-247N IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3773 | $ 2.3773 |
| 200+ | $0.9491 | $ 189.8200 |
| 450+ | $0.9164 | $ 412.3800 |
| 900+ | $0.9019 | $ 811.7100 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RGT80TS65DGC11 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 70A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 234W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 119ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 34ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.1V@15V,40A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 79nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 58ns |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3773 | $ 2.3773 |
| 200+ | $0.9491 | $ 189.8200 |
| 450+ | $0.9164 | $ 412.3800 |
| 900+ | $0.9019 | $ 811.7100 |
