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ROHM Semicon RGT50NS65DGTL
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RGT50NS65DGTL |
| Référence EBEE | E8308739 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 194W 48A 650V FS(Field Stop) TO-263-2 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5766 | $ 3.5766 |
| 10+ | $3.1185 | $ 31.1850 |
| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RGT50NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 48A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 194W | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | - | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 58ns | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | - |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5766 | $ 3.5766 |
| 10+ | $3.1185 | $ 31.1850 |
| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
