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ROHM Semicon RGT40NL65DGTL
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RGT40NL65DGTL |
| Référence EBEE | E83191207 |
| Boîtier | TO-263 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 161W 40A 650V FS(Field Stop) TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2580 | $ 3.2580 |
| 10+ | $2.8417 | $ 28.4170 |
| 30+ | $2.5926 | $ 77.7780 |
| 100+ | $2.3416 | $ 234.1600 |
| 500+ | $2.2253 | $ 1112.6500 |
| 1000+ | $2.1744 | $ 2174.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 161W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 75ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 22ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.1V@15V,20A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 40nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 58ns | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | - |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2580 | $ 3.2580 |
| 10+ | $2.8417 | $ 28.4170 |
| 30+ | $2.5926 | $ 77.7780 |
| 100+ | $2.3416 | $ 234.1600 |
| 500+ | $2.2253 | $ 1112.6500 |
| 1000+ | $2.1744 | $ 2174.4000 |
