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ROHM Semicon RGS80TSX2DHRC11
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RGS80TSX2DHRC11 |
| Référence EBEE | E8507505 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 555W 80A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6033 | $ 4.6033 |
| 10+ | $4.0578 | $ 40.5780 |
| 30+ | $3.3358 | $ 100.0740 |
| 100+ | $3.0077 | $ 300.7700 |
| 500+ | $2.8561 | $ 1428.0500 |
| 1000+ | $2.7884 | $ 2788.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RGS80TSX2DHRC11 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 80A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 555W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 199ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 49ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.1V@15V,40A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 104nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 198ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 3.1mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 3mJ |
Guide d’achat
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| 1+ | $4.6033 | $ 4.6033 |
| 10+ | $4.0578 | $ 40.5780 |
| 30+ | $3.3358 | $ 100.0740 |
| 100+ | $3.0077 | $ 300.7700 |
| 500+ | $2.8561 | $ 1428.0500 |
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