| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RGS80TS65DHRC11 |
| Référence EBEE | E87493801 |
| Boîtier | TO-247N |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 272W 73A 650V FS(Field Stop) TO-247N IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2868 | $ 5.2868 |
| 10+ | $4.5626 | $ 45.6260 |
| 30+ | $4.1322 | $ 123.9660 |
| 90+ | $3.6962 | $ 332.6580 |
| 510+ | $3.4963 | $ 1783.1130 |
| 990+ | $3.4045 | $ 3370.4550 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon RGS80TS65DHRC11 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 73A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 272W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 112ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 37ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.1V@15V,40A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 48nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 103ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 1.03mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 1.05mJ |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2868 | $ 5.2868 |
| 10+ | $4.5626 | $ 45.6260 |
| 30+ | $4.1322 | $ 123.9660 |
| 90+ | $3.6962 | $ 332.6580 |
| 510+ | $3.4963 | $ 1783.1130 |
| 990+ | $3.4045 | $ 3370.4550 |
