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ROHM Semicon RGS80TS65DHRC11


Fabricant
Référence Fabricant
RGS80TS65DHRC11
Référence EBEE
E87493801
Boîtier
TO-247N
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
272W 73A 650V FS(Field Stop) TO-247N IGBT Transistors / Modules ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$5.2868$ 5.2868
10+$4.5626$ 45.6260
30+$4.1322$ 123.9660
90+$3.6962$ 332.6580
510+$3.4963$ 1783.1130
990+$3.4045$ 3370.4550
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueROHM Semicon RGS80TS65DHRC11
RoHS
Température de fonctionnement-40℃~+175℃@(Tj)
TypeFS(Field Stop)
Courant du collecteur (Ic)73A
Dissipation de puissance (Pd)272W
Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off))112ns
Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on))37ns
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)650V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)2.1V@15V,40A
Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge)48nC
Délai de récupération inverse de la diode (Trr)103ns
Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff)1.03mJ
Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon)1.05mJ

Guide d’achat

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