| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SK3018T106 |
| Référence EBEE | E8113315 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 100mA 200mW 7Ω@2.5V,1mA 1.5V@100uA 1 N-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0493 | $ 0.4930 |
| 100+ | $0.0404 | $ 4.0400 |
| 300+ | $0.0359 | $ 10.7700 |
| 3000+ | $0.0282 | $ 84.6000 |
| 6000+ | $0.0254 | $ 152.4000 |
| 9000+ | $0.0242 | $ 217.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | ROHM Semicon 2SK3018T106 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 7Ω@2.5V,1mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 13pF@5V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0493 | $ 0.4930 |
| 100+ | $0.0404 | $ 4.0400 |
| 300+ | $0.0359 | $ 10.7700 |
| 3000+ | $0.0282 | $ 84.6000 |
| 6000+ | $0.0254 | $ 152.4000 |
| 9000+ | $0.0242 | $ 217.8000 |
