| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RJK0656DPB-00#J5 |
| Référence EBEE | E87283364 |
| Boîtier | SC-100(SOT-669) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 40A 65W 5.6mΩ@10V,20A 4V@1mA 1 N-channel SC-100(SOT-669) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8376 | $ 3.8376 |
| 200+ | $1.5319 | $ 306.3800 |
| 500+ | $1.4813 | $ 740.6500 |
| 1000+ | $1.4552 | $ 1455.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | RENESAS RJK0656DPB-00#J5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 40A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 65W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 175pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3nF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 40nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8376 | $ 3.8376 |
| 200+ | $1.5319 | $ 306.3800 |
| 500+ | $1.4813 | $ 740.6500 |
| 1000+ | $1.4552 | $ 1455.2000 |
