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RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 |
| Référence EBEE | E83193702 |
| Boîtier | TO-247A |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 312W 150A 650V TO-247A IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 150A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 312W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 113ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 29ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2V@15V,75A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 54nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 72ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 1mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 1.6mJ |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
