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RENESAS NP83P06PDG-E1-AY
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NP83P06PDG-E1-AY |
| Référence EBEE | E87321230 |
| Boîtier | TO-263 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 83A 8.8mΩ@10V,41.5A 2.5V@1mA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2736 | $ 5.2736 |
| 200+ | $2.1053 | $ 421.0600 |
| 500+ | $2.0338 | $ 1016.9000 |
| 800+ | $1.9989 | $ 1599.1200 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | RENESAS NP83P06PDG-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 83A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.8mΩ@10V,41.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.8W;150W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@1mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 10.1nF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 190nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2736 | $ 5.2736 |
| 200+ | $2.1053 | $ 421.0600 |
| 500+ | $2.0338 | $ 1016.9000 |
| 800+ | $1.9989 | $ 1599.1200 |
