| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NP32N055SDE-E1-AZ |
| Référence EBEE | E87321217 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 32A 24mΩ@10V,16A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2571 | $ 3.2571 |
| 200+ | $1.3001 | $ 260.0200 |
| 500+ | $1.2566 | $ 628.3000 |
| 1000+ | $1.2357 | $ 1235.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | RENESAS NP32N055SDE-E1-AZ | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 55V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 32A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 24mΩ@10V,16A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.2W;66W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 41nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2571 | $ 3.2571 |
| 200+ | $1.3001 | $ 260.0200 |
| 500+ | $1.2566 | $ 628.3000 |
| 1000+ | $1.2357 | $ 1235.7000 |
