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RENESAS NP28N10SDE-E1-AY
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NP28N10SDE-E1-AY |
| Référence EBEE | E87321212 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 28A 52mΩ@10V,14A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | RENESAS NP28N10SDE-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 28A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 52mΩ@10V,14A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.2W;100W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 75nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
