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RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NP160N055TUJ-E1-AY |
| Référence EBEE | E87321208 |
| Boîtier | TO-263-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 160A 3mΩ@10V,80A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-6 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 55V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 160A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3mΩ@10V,80A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.8W;250W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 10.35nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 180nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
