Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

Qorvo UF4C120070K4S


Fabricant
Référence Fabricant
UF4C120070K4S
Référence EBEE
E85814907
Boîtier
-
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
1.2kV 27.5A 217W 91mΩ@12V,20A 4.8V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>

En stock : Veuillez vous renseigner

Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.

Nom du contact
E-mail professionnel
Nom de l'entreprise
Pays
Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$25.5951$ 25.5951
210+$10.2129$ 2144.7090
510+$9.8715$ 5034.4650
990+$9.7036$ 9606.5640
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueQorvo UF4C120070K4S
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃@(Tj)
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)1.2kV
Courant de drainage continu (Id)27.5A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)91mΩ@12V,20A
Dissipation de puissance (Pd)217W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4.8V@10mA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)2pF@800V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1.37nF@800V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)37.8nC@15V

Guide d’achat

Développer