| Fabricant | |
| Référence Fabricant | UF4C120070K4S |
| Référence EBEE | E85814907 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 27.5A 217W 91mΩ@12V,20A 4.8V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $25.5951 | $ 25.5951 |
| 210+ | $10.2129 | $ 2144.7090 |
| 510+ | $9.8715 | $ 5034.4650 |
| 990+ | $9.7036 | $ 9606.5640 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Qorvo UF4C120070K4S | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.2kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 27.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 91mΩ@12V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 217W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.8V@10mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF@800V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.37nF@800V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 37.8nC@15V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $25.5951 | $ 25.5951 |
| 210+ | $10.2129 | $ 2144.7090 |
| 510+ | $9.8715 | $ 5034.4650 |
| 990+ | $9.7036 | $ 9606.5640 |
