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PN Junction Semiconductor P3M173K0F3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M173K0F3 |
| Référence EBEE | E86729735 |
| Boîtier | TO-220F-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 1.7kV 1.97A 19W 3mΩ@15V,1.97A [email protected] 1 N-channel TO-220F-2L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.3724 | $ 12.3724 |
| 200+ | $4.9375 | $ 987.5000 |
| 500+ | $4.7719 | $ 2385.9500 |
| 1000+ | $4.6900 | $ 4690.0000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M173K0F3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.7kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 1.97A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3mΩ@15V,1.97A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 19W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.87pF@1000V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 8.14nC@15V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.3724 | $ 12.3724 |
| 200+ | $4.9375 | $ 987.5000 |
| 500+ | $4.7719 | $ 2385.9500 |
| 1000+ | $4.6900 | $ 4690.0000 |
