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PN Junction Semiconductor P3M171K0F3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M171K0F3 |
| Référence EBEE | E86352271 |
| Boîtier | TO-220F-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 1.7kV 6A 1.4Ω@15V,2A 51W 1.45V@2mA 1 N-channel TO-220F-2L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.4545 | $ 17.4545 |
| 200+ | $6.9644 | $ 1392.8800 |
| 500+ | $6.7327 | $ 3366.3500 |
| 1000+ | $6.6176 | $ 6617.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.7kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 6A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.4Ω@15V,2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 51W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.45V@2mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.61pF@1000V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 24.4nC@15V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.4545 | $ 17.4545 |
| 200+ | $6.9644 | $ 1392.8800 |
| 500+ | $6.7327 | $ 3366.3500 |
| 1000+ | $6.6176 | $ 6617.6000 |
