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PN Junction Semiconductor P3M12080G7
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M12080G7 |
| Référence EBEE | E87256048 |
| Boîtier | D2PAK-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 1.2kV 32A 96mΩ@15V,20A 136W 2.2V@30mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1511 | $ 31.1511 |
| 200+ | $12.4308 | $ 2486.1600 |
| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M12080G7 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.2kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 32A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 96mΩ@15V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 136W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.2V@30mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6pF@800V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2032pF@800V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1511 | $ 31.1511 |
| 200+ | $12.4308 | $ 2486.1600 |
| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
