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PN Junction Semiconductor P3M12025K3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M12025K3 |
| Référence EBEE | E87023107 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 1.2kV 113A 524W 35mΩ@15V,50A [email protected] 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $83.1048 | $ 83.1048 |
| 200+ | $33.1604 | $ 6632.0800 |
| 500+ | $32.0520 | $ 16026.0000 |
| 1000+ | $31.5048 | $ 31504.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M12025K3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1.2kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 113A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@15V,50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 524W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 19pF@800V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $83.1048 | $ 83.1048 |
| 200+ | $33.1604 | $ 6632.0800 |
| 500+ | $32.0520 | $ 16026.0000 |
| 1000+ | $31.5048 | $ 31504.8000 |
