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PN Junction Semiconductor P3M06300T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M06300T3 |
| Référence EBEE | E87256045 |
| Boîtier | TO-220-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 650V 7A 35W 500mΩ@15V,4.5A 2.2V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0952 | $ 9.0952 |
| 200+ | $3.6301 | $ 726.0200 |
| 500+ | $3.5082 | $ 1754.1000 |
| 1000+ | $3.4489 | $ 3448.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M06300T3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@15V,4.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.2V@5mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.35pF@400V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0952 | $ 9.0952 |
| 200+ | $3.6301 | $ 726.0200 |
| 500+ | $3.5082 | $ 1754.1000 |
| 1000+ | $3.4489 | $ 3448.9000 |
