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PN Junction Semiconductor P3M06120T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M06120T3 |
| Référence EBEE | E87323805 |
| Boîtier | TO-220-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 650V 29A 158mΩ@15V,10A 153W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M06120T3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 29A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 158mΩ@15V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 153W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.8V@5mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8.6pF@400V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 31.6nC@15V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
