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PN Junction Semiconductor P3M06120K3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M06120K3 |
| Référence EBEE | E86729731 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 650V 27A 158mΩ@15V,10A 131W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $27.4204 | $ 27.4204 |
| 200+ | $10.9412 | $ 2188.2400 |
| 500+ | $10.5761 | $ 5288.0500 |
| 1000+ | $10.3954 | $ 10395.4000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M06120K3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 27A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 158mΩ@15V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 131W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.8V@5mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8.6pF@400V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 31.6nC@15V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $27.4204 | $ 27.4204 |
| 200+ | $10.9412 | $ 2188.2400 |
| 500+ | $10.5761 | $ 5288.0500 |
| 1000+ | $10.3954 | $ 10395.4000 |
