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PJSEMI PJM2309PSC
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PJM2309PSC |
| Référence EBEE | E82683747 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 4A 180mΩ@10V,2A 1.4W 3V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0626 | $ 0.6260 |
| 100+ | $0.0495 | $ 4.9500 |
| 300+ | $0.0430 | $ 12.9000 |
| 3000+ | $0.0352 | $ 105.6000 |
| 6000+ | $0.0313 | $ 187.8000 |
| 9000+ | $0.0293 | $ 263.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PJSEMI PJM2309PSC | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 180mΩ@10V;280mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 28pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 850pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0626 | $ 0.6260 |
| 100+ | $0.0495 | $ 4.9500 |
| 300+ | $0.0430 | $ 12.9000 |
| 3000+ | $0.0352 | $ 105.6000 |
| 6000+ | $0.0313 | $ 187.8000 |
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