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PJSEMI PJM10H03NSC
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PJM10H03NSC |
| Référence EBEE | E82891566 |
| Boîtier | SOT-23-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 3A 160mΩ@10V,3A 1.5W 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0600 | $ 0.6000 |
| 100+ | $0.0463 | $ 4.6300 |
| 300+ | $0.0395 | $ 11.8500 |
| 3000+ | $0.0369 | $ 110.7000 |
| 6000+ | $0.0327 | $ 196.2000 |
| 9000+ | $0.0307 | $ 276.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | PJSEMI PJM10H03NSC | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 170mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 650pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0600 | $ 0.6000 |
| 100+ | $0.0463 | $ 4.6300 |
| 300+ | $0.0395 | $ 11.8500 |
| 3000+ | $0.0369 | $ 110.7000 |
| 6000+ | $0.0327 | $ 196.2000 |
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